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      圖片信息
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      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:K4FBE3D4HM-GHCL
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    5. 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產(chǎn)品應用分類:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 三星芯片型號:K4FBE3D4HM-GHCL
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    12. 功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
    13. 容量:32Gb
    14. 架構:x32
    15. 速率:3733 Mbps
    16. 工作電壓:1.8 / 1.1 / 1.1 V
    17. 工作溫度:-40 ~ 105 °C
    18. 封裝:200FBGA
    19. 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
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