深圳市南皇電子有限公司長期提供K4B1G0846I-BYNB（品牌: Samsung）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

K4B1G0846I-BYNB - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，三星半導體代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：K4B1G0846I-BYNB

技術(shù)標準參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND

產(chǎn)品應(yīng)用分類：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

三星芯片型號：K4B1G0846I-BYNB

制造商：SAMSUNG（三星半導體）

功能類別：雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器

容量：1Gb

架構(gòu)：128M x 8

速率：2133 Mbps

工作電壓：1.35 V

工作溫度：0 ~ 85 °C

封裝：78FBGA

產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)

K4B1G0846I-BYNB均從三星半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Samsung

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