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      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:K4B1G0846I-BYK0
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    5. 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產品應用分類:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 三星芯片型號:K4B1G0846I-BYK0
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    12. 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
    13. 容量:1Gb
    14. 架構:128M x 8
    15. 速率:1600 Mbps
    16. 工作電壓:1.35 V
    17. 工作溫度:0 ~ 85 °C
    18. 封裝:78FBGA
    19. 產品狀態(tài):批量生產
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