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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGWT80H65FB

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數(shù)：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGWT80H65FB

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：120A

電流-集電極脈沖(Icm)：240A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A

功率-最大值：469W

開關能量：2.1mJ（開），1.5mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：414nC

25°C時Td（開/關）值：84ns/280ns

測試條件：400V，80A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

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