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      圖片信息
      STGWT80H65DFB圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:STGWT80H65DFB
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:STGWT80H65DFB
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. IGBT類型:溝槽型場截止
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):120A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):240A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A
    21. 功率-最大值:469W
    22. 開關(guān)能量:2.1mJ(開),1.5mJ(關(guān))
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:414nC
    25. 25°C時Td(開/關(guān))值:84ns/280ns
    26. 測試條件:400V,80A,10 歐姆,15V
    27. 反向恢復(fù)時間(trr):85ns
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 封裝:TO-3P-3,SC-65-3
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