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      圖片信息
      STGW75M65DF2圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:STGW75M65DF2
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:STGW75M65DF2
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:M
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. IGBT類型:溝槽型場截止
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):120A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):225A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
    21. 功率-最大值:468W
    22. 開關(guān)能量:690μJ(開),2.54mJ(關(guān))
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:225nC
    25. 25°C時Td(開/關(guān))值:47ns/125ns
    26. 測試條件:400V,75A,3.3 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):165ns
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 封裝:TO-247-3
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