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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGW25M120DF3

技術標準參數(shù)：IGBT 1200V 50A 375W

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGW25M120DF3

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 50A 375W

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：50A

電流-集電極脈沖(Icm)：100A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，25A

功率-最大值：375W

開關能量：850μJ（開），1.3mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：85nC

25°C時Td（開/關）值：28ns/150ns

測試條件：600V，25A，15歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：265ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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