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      圖片信息
      STGP8NC60KD圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:STGP8NC60KD
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IGBT 600V 15A 65W TO220
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    7. 點擊此處下載STGP8NC60KD的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:STGP8NC60KD
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:IGBT 600V 15A 65W TO220
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:PowerMESH?
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. IGBT類型:-
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):15A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):30A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,3A
    21. 功率-最大值:65W
    22. 開關(guān)能量:55μJ(開),85μJ(關(guān))
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:19nC
    25. 25°C時Td(開/關(guān))值:17ns/72ns
    26. 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):23.5ns
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 封裝:TO-220-3
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