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      圖片信息
      STGP30H65F圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:STGP30H65F
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單路IGBT
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STGP30H65F
    11. 制造廠家名稱:STMicroelectronics
    12. 描述:IGBT 650V 60A 260W TO-220AB
    13. 系列:-
    14. IGBT 類型:溝道和場截止
    15. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V
    16. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60A
    17. Current - Collector Pulsed (Icm):120A
    18. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.4V @ 15V,30A
    19. 功率 - 最大值:260W
    20. Switching Energy:350μJ (開), 400μJ (關(guān))
    21. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
    22. Gate Charge:105nC
    23. 25°C 時 Td(開/關(guān))值:50ns/160ns
    24. Test Condition:400V, 30A, 10 歐姆, 15V
    25. 反向恢復(fù)時間 (trr):-
    26. 封裝/外殼:TO-220-3
    27. 安裝類型:通孔
    28. 供應(yīng)商器件封裝:TO-220
    29. STGP30H65F均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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