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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGF5H60DF

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGF5H60DF

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：10A

電流-集電極脈沖(Icm)：20A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，5A

功率-最大值：24W

開關(guān)能量：56μJ（開），78.5μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：43nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：30ns/140ns

測試條件：400V，5A，47 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：134.5ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3 整包

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