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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGD6NC60H-1

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數(shù)：IGBT N-CH 600V 7A IPAK

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGD6NC60H-1

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT N-CH 600V 7A IPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：15A

電流-集電極脈沖(Icm)：21A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，3A

功率-最大值：62.5W

開關能量：20μJ（開），68μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：13.6nC

25°C時Td（開/關）值：12ns/76ns

測試條件：390V，3A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

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