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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGD10NC60KDT4

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數(shù)：IGBT 600V 20A 62W DPAK

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：STGD10NC60KDT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 20A 62W DPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：20A

電流-集電極脈沖(Icm)：30A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，5A

功率-最大值：62W

開關能量：55μJ（開），85μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：19nC

25°C時Td（開/關）值：17ns/72ns

測試條件：390V，5A，10歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：22ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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