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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGD10NC60HDT4

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 20A 62W D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGD10NC60HDT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 20A 62W D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：20A

電流-集電極脈沖(Icm)：30A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，5A

功率-最大值：62W

開關(guān)能量：31.8μJ（開），95μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：19.2nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：14.2ns/72ns

測試條件：390V，5A，10歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：22ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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