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      圖片信息
      STGB40V60F圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:STGB40V60F
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IGBT 600V 80A 283W D2PAK
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:STGB40V60F
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:IGBT 600V 80A 283W D2PAK
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. IGBT類型:溝槽型場截止
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):80A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):160A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,40A
    21. 功率-最大值:283W
    22. 開關能量:456μJ(開),411μJ(關)
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:226nC
    25. 25°C時Td(開/關)值:52ns/208ns
    26. 測試條件:400V,40A,10 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):-
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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