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      圖片信息
      STGB20NC60VT4圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:STGB20NC60VT4
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導體
    5. 技術標準參數(shù):IGBT 600V 60A 200W D2PAK
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    7. 點擊此處下載STGB20NC60VT4的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:STGB20NC60VT4
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:IGBT 600V 60A 200W D2PAK
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:PowerMESH?
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. IGBT類型:-
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):100A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,20A
    21. 功率-最大值:200W
    22. 開關能量:220μJ(開),330μJ(關)
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:100nC
    25. 25°C時Td(開/關)值:31ns/100ns
    26. 測試條件:390V,20A,3.3 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):-
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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