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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STB18N60DM2

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STB18N60DM2

制造商：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：MDmesh? DM2

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：12A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：295 毫歐 @ 6A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：800pF @ 100V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：90W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK

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