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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SCT30N120H

技術標準參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SCT30N120H

制造商：STMicroelectronics

描述：SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：40A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 20A，20V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：105nC @ 20V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：270W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：H2Pak-2

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