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      圖片信息
      PD20010-E圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:PD20010-E
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:PD20010-E
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. 晶體管類型:LDMOS
    16. 頻率:2GHz
    17. 增益:11dB
    18. 電壓-測試:13.6V
    19. 額定電流(安培):5A
    20. 噪聲系數(shù):-
    21. 電流-測試:150mA
    22. 功率-輸出:10W
    23. 電壓-額定:40V
    24. 封裝:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)
    25. PD20010-E均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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