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      圖片信息
      NAND512R3A2BZA6E圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:NAND512R3A2BZA6E
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導體
    5. 技術標準參數(shù):IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
    6. 產品應用分類:存儲器
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:NAND512R3A2BZA6E
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
    13. 產品系列:存儲器
    14. 包裝:托盤
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):停產
    17. 存儲器類型:非易失
    18. 存儲器格式:閃存
    19. 技術:閃存 - NAND
    20. 存儲容量:512Mb(64M x 8)
    21. 存儲器接口:并聯(lián)
    22. 時鐘頻率:-
    23. 寫周期時間-字,頁:60ns
    24. 訪問時間:60ns
    25. 電壓-供電:1.7V ~ 1.95V
    26. 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
    27. 安裝類型:表面貼裝型
    28. 產品封裝:63-VFBGA
    29. NAND512R3A2BZA6E均從ST代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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