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      圖片信息
      E-L6385D013TR圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:E-L6385D013TR
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導體
    5. 技術標準參數(shù):IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
    6. 產(chǎn)品應用分類:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:E-L6385D013TR
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
    13. 產(chǎn)品系列:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
    14. 包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    17. 驅(qū)動配置:半橋
    18. 通道類型:獨立式
    19. 驅(qū)動器數(shù):2
    20. 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET
    21. 電壓-供電:17V(最大)
    22. 邏輯電壓?-VIL,VIH:1.5V,3.6V
    23. 電流-峰值輸出(灌入,拉出):400mA,650mA
    24. 輸入類型:反相
    25. 高壓側(cè)電壓-最大值(自舉):600V
    26. 上升/下降時間(典型值):50ns,30ns
    27. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    28. 安裝類型:表面貼裝型
    29. 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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