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      圖片信息
      A1P25S12M3-F圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:A1P25S12M3-F
    4. 原始制造廠商:ST,意法半導體
    5. 技術標準參數(shù):IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
    7. 點擊此處下載A1P25S12M3-F的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:A1P25S12M3-F
    11. 制造商:STMicroelectronics
    12. 描述:IGBT MOD 1200V 25A 197W ACEPACK1
    13. 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. IGBT類型:溝槽型場截止
    16. 配置:三相反相器
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):25A
    19. 功率-最大值:197W
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,25A
    21. 電流-集電極截止(最大值):100μA
    22. 不同?Vce時輸入電容(Cies):1550pF @ 25V
    23. 輸入:標準
    24. NTC熱敏電阻:是
    25. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:底座安裝
    27. 封裝:模塊
    28. A1P25S12M3-F均從ST代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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