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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：RJK6024DPE-00#J3

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

Renesas瑞薩完整型號: RJK6024DPE-00#J3

制造廠家名稱: Renesas Electronics America

功能總體簡述: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 600V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 400mA（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 42 歐姆 @ 200mA，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 4.3nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 37.5pF @ 25V

功率 - 最大值: 20W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SC-83

供應(yīng)商器件封裝: 4-LDPAK

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Renesas

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