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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NP80N055NHE-S18-AY

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

產(chǎn)品應用分類：單端場效應管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

Renesas瑞薩完整型號：NP80N055NHE-S18-AY

制造廠家名稱：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：55V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 40A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：60nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3600pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：TO-262

NP80N055NHE-S18-AY均從Renesas代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Renesas

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