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      圖片信息
      HAT2165H-EL-E圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:HAT2165H-EL-E
    4. 原始制造廠商:Renesas,瑞薩電子
    5. 技術標準參數:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:HAT2165H-EL-E
    11. 制造商:Renesas Electronics America Inc
    12. 描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):30V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):55A(Ta)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):3.3 毫歐 @ 27.5A,10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):33nC @ 4.5V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):5180pF @ 10V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):30W(Tc)
    28. 工作溫度:150°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:LFPAK
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