深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SH8K26GZ0TB（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

SH8K26GZ0TB - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：SH8K26GZ0TB

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：SH8K26GZ0TB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6A（Ta）

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：38 毫歐 @ 6A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.9nC @ 5V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：280pF @ 10V

功率-最大值：2W（Ta）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

SH8K26GZ0TB均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

ROHM

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