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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：RQ6E085BNTCR

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：RQ6E085BNTCR

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8.5A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：14.4 毫歐 @ 8.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：32.7nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：1.25W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：SOT-457

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ROHM

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