深圳市南皇電子有限公司長期提供RHU002N06T106（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

EN | 繁體

RHU002N06T106 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：RHU002N06T106

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點(diǎn)擊此處下載RHU002N06T106的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：RHU002N06T106

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：200mA（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.4 歐姆 @ 200mA，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：-

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：15pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：200mW（Ta）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：UMT3

RHU002N06T106均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

關(guān)注度比較高的相關(guān)ROHM羅姆產(chǎn)品：

質(zhì)量是南皇電子從眾多競爭對手中脫穎而出的關(guān)鍵因數(shù)

ROHM

ROHM

ROHM

ROHM

ROHM

ROHM

買到真正的RHU002N06T106原裝貨 - 來自全球授權(quán)的ROHM代理商、原廠貨源 - 深圳市南皇電子有限公司

深圳市南皇電子有限公司 - RHU002N06T106 - ROHM公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求