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      圖片信息
      RGT8TM65DGC9圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:RGT8TM65DGC9
    4. 原始制造廠商:ROHM,羅姆
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):FIELD STOP TRENCH IGBT
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:RGT8TM65DGC9
    11. 制造商:Rohm Semiconductor
    12. 描述:FIELD STOP TRENCH IGBT
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. IGBT類型:溝槽型場截止
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):5A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):12A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A
    21. 功率-最大值:16W
    22. 開關(guān)能量:-
    23. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
    24. 柵極電荷:13.5nC
    25. 25°C時Td(開/關(guān))值:17ns/69ns
    26. 測試條件:400V,4A,50歐姆,15V
    27. 反向恢復(fù)時間(trr):40ns
    28. 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 封裝:TO-220-3 整包
    31. RGT8TM65DGC9均從ROHM代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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