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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：RGT16NS65DGC9

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數(shù)：IGBT

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：RGT16NS65DGC9

制造商：Rohm Semiconductor

描述：IGBT

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：16A

電流-集電極脈沖(Icm)：24A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，8A

功率-最大值：94W

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：21nC

25°C時Td（開/關）值：13ns/33ns

測試條件：400V，8A，10歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：42ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

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