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      圖片信息
      RD3G03BATTL1圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:RD3G03BATTL1
    4. 原始制造廠商:ROHM,羅姆
    5. 技術(shù)標準參數(shù):PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:RD3G03BATTL1
    11. 制造商:Rohm Semiconductor
    12. 描述:PCH -40V -35A POWER MOSFET - RD3
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:P 通道
    17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):40V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):35A(Ta)
    20. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):19.1 毫歐 @ 35A, 10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):38nC @ 10V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2100pF @ 20V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):56W (Ta)
    28. 工作溫度:150°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:TO-252
    31. RD3G03BATTL1均從ROHM代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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