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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：BSM600C12P3G201

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數(shù)：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：BSM600C12P3G201

制造商：Rohm Semiconductor

描述：SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：600A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：28000pF @ 10V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2460W（Tc）

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

器件封裝：模塊

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