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      圖片信息
      QJD1210010圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:QJD1210010
    4. 原始制造廠商:Powerex
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:QJD1210010
    11. 制造商:Powerex Inc.
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:2 N-通道(雙)
    17. FET功能:碳化硅(SiC)
    18. 漏源電壓(Vdss):1200V(1.2kV)
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):100A(Tc)
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):25 毫歐 @ 100A,20V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):500nC @ 20V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):10200pF @ 800V
    24. 功率-最大值:1080W
    25. 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
    26. 安裝類型:底座安裝
    27. 封裝:模塊
    28. QJD1210010均從Powerex代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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