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      圖片信息
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      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:TIP112G
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術標準參數:TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB
    6. 產品應用分類:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:TIP112G
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A TO220AB
    13. 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. 晶體管類型:NPN - 達林頓
    17. 電流-集電極(Ic)(最大值):2A
    18. 電壓-集射極擊穿(最大值):100V
    19. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):2.5V @ 8mA,2A
    20. 電流-集電極截止(最大值):2mA
    21. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,4V
    22. 功率-最大值:2W
    23. 頻率-躍遷:-
    24. 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
    25. 安裝類型:通孔
    26. 封裝:TO-220-3
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