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      圖片信息
      SGL60N90DG3YDTU圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:SGL60N90DG3YDTU
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 900V 60A 180W TO264
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    7. 點擊此處下載SGL60N90DG3YDTU的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:SGL60N90DG3YDTU
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:IGBT 900V 60A 180W TO264
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. IGBT類型:溝道
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):900V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):60A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):120A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,60A
    21. 功率-最大值:180W
    22. 開關(guān)能量:-
    23. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
    24. 柵極電荷:260nC
    25. 25°C時Td(開/關(guān))值:-
    26. 測試條件:-
    27. 反向恢復(fù)時間(trr):1.5μs
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 封裝:TO-264-3,TO-264AA
    31. SGL60N90DG3YDTU均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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