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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NVMFWD030N06CT1G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NVMFWD030N06CT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH DUAL 60V SO8FL

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N-通道（雙）

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：7A（Ta），19A（Tc）

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：29.7 毫歐 @ 3A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 13μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.7nC @ 10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：255pF @ 30V

功率-最大值：3.2W（Ta），23W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerTDFN

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