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      圖片信息
      NVD14N03RT4G圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:NVD14N03RT4G
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術標準參數:MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
    6. 產品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術參數詳解:
    10. ON安森美半導體完整型號:NVD14N03RT4G
    11. 制造廠家名稱:ON Semiconductor
    12. 描述:MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
    13. 系列:-
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):25V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.5A(Ta)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):95 毫歐 @ 5A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.8nC @ 5V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):115pF @ 20V
    22. 功率 - 最大值:1.04W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 產品封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
    25. 供應商器件封裝:DPAK-3
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