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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：NTBG160N120SC1

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NTBG160N120SC1

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：19.5A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：224毫歐 @ 12A，20V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 2，5mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：33.8nC @ 20V

Vgs（最大值）：+25V，-15V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：678pF @ 800V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：136W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK-7

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