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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NTBG020N090SC1

技術標準參數：SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NTBG020N090SC1

制造商：ON Semiconductor

描述：SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：900V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：9.8A（Ta），112A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：28 毫歐 @ 60A，15V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 20mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：200nC @ 15V

Vgs（最大值）：+19V，-10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4415pF @ 450V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），477W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：D2PAK-7

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