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      圖片信息
      NJVMJD122T4G圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:NJVMJD122T4G
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:NJVMJD122T4G
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
    13. 系列:晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
    14. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. 晶體管類型:NPN - 達林頓
    17. 電流-集電極(Ic)(最大值):8A
    18. 電壓-集射極擊穿(最大值):100V
    19. 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降(最大值):4V @ 80mA,8A
    20. 電流-集電極截止(最大值):10μA
    21. 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 4A,4V
    22. 功率-最大值:1.75W
    23. 頻率-躍遷:4MHz
    24. 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
    25. 安裝類型:表面貼裝型
    26. 封裝:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
    27. NJVMJD122T4G均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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