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      圖片信息
      NGTD30T120F2WP圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:NGTD30T120F2WP
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術標準參數(shù):IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    7. 點擊此處下載NGTD30T120F2WP的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:NGTD30T120F2WP
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. IGBT類型:溝槽型場截止
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):-
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):200A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,40A
    21. 功率-最大值:-
    22. 開關能量:-
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:-
    25. 25°C時Td(開/關)值:-
    26. 測試條件:-
    27. 反向恢復時間(trr):-
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 封裝:模具
    31. NGTD30T120F2WP均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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