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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NGTB30N60L2WG

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 30A TO247

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NGTB30N60L2WG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 30A TO247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：最後搶購

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：100A

電流-集電極脈沖(Icm)：60A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.6V @ 15V，30A

功率-最大值：225W

開關(guān)能量：310μJ（開），1.14mJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：166nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：100ns/390ns

測試條件：300V，30A，30 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：70ns

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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