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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NGD18N40CLBT4G

技術標準參數：IGBT 430V 15A 115W DPAK

產品應用分類：單路IGBT

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技術參數詳解：

ON安森美半導體完整型號：NGD18N40CLBT4G

制造廠家名稱：ON Semiconductor

描述：IGBT 430V 15A 115W DPAK

系列：-

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：430V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：15A

Current - Collector Pulsed (Icm)：50A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.5V @ 4V，15A

功率 - 最大值：115W

Switching Energy：-

輸入類型：邏輯

Gate Charge：-

25°C 時 Td（開/關）值：-

Test Condition：-

反向恢復時間 (trr)：-

產品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：DPAK-3

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