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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NCV57200DR2G

技術(shù)標準參數(shù)：ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE

產(chǎn)品應(yīng)用分類：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NCV57200DR2G

制造商：ON Semiconductor

描述：ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE

產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器

包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）

系列：Automotive, AEC-Q100

零件狀態(tài)：有源

驅(qū)動配置：半橋

通道類型：同步

驅(qū)動器數(shù)：1

柵極類型：IGBT

電壓-供電：20V

邏輯電壓?-VIL，VIH：0.9V，2.4V

電流-峰值輸出（灌入，拉出）：1.9A，2.3A

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：800V

上升/下降時間（典型值）：13ns，8ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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