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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：MC33153DR2G

技術(shù)標準參數(shù)：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：MC33153DR2G

制造商：ON Semiconductor

描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動器

包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）

系列：-

零件狀態(tài)：有源

驅(qū)動配置：低端

通道類型：單路

驅(qū)動器數(shù)：1

柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET

電壓-供電：11V ~ 20V

邏輯電壓?-VIL，VIH：1.2V，3.2V

電流-峰值輸出（灌入，拉出）：1A，2A

輸入類型：反相

高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：-

上升/下降時間（典型值）：17ns，17ns

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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