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      圖片信息
      MC33151DR2G圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:MC33151DR2G
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    6. 產(chǎn)品應用分類:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:MC33151DR2G
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    13. 產(chǎn)品系列:電源管理IC - 柵極驅(qū)動器
    14. 包裝:卷帶(TR),剪切帶(CT)
    15. 系列:-
    16. 零件狀態(tài):有源
    17. 驅(qū)動配置:低端
    18. 通道類型:獨立式
    19. 驅(qū)動器數(shù):2
    20. 柵極類型:N 溝道 MOSFET
    21. 電壓-供電:6.5V ~ 18V
    22. 邏輯電壓?-VIL,VIH:0.8V,2.6V
    23. 電流-峰值輸出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
    24. 輸入類型:反相
    25. 高壓側(cè)電壓-最大值(自舉):-
    26. 上升/下降時間(典型值):31ns,32ns
    27. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    28. 安裝類型:表面貼裝型
    29. 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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