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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：J112-D26Z

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：JFET N-CH 35V 625MW TO92-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - JFET

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：J112-D26Z

制造商：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 35V 625MW TO92-3

系列：晶體管 - JFET

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

電壓-擊穿(V(BR)GSS)：35V

漏源電壓（Vdss）：-

不同Vds(Vgs=0)時(shí)電流-漏極(Idss)：5mA @ 15V

漏極電流(Id)-最大值：-

不同Id時(shí)電壓-截止(VGSoff)：1V @ 1μA

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：-

電阻-RDS(On)：50 Ohms

功率-最大值：625mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）

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