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      圖片信息
      HGTG20N60C3D圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:HGTG20N60C3D
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IGBT 600V 45A 164W TO247
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:HGTG20N60C3D
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:IGBT 600V 45A 164W TO247
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. IGBT類型:-
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):45A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):300A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,20A
    21. 功率-最大值:164W
    22. 開關(guān)能量:500μJ(開),500μJ(關(guān))
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:91nC
    25. 25°C時Td(開/關(guān))值:28ns/151ns
    26. 測試條件:480V,20A,10 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):55ns
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 封裝:TO-247-3
    31. HGTG20N60C3D均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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