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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：HGTD7N60C3S9A

技術標準參數：IGBT 600V 14A TO252AA

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：HGTD7N60C3S9A

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 14A TO252AA

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態(tài)：不適用於新設計

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：14A

電流-集電極脈沖(Icm)：56A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，7A

功率-最大值：60W

開關能量：165μJ（開），600μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：23nC

25°C時Td（開/關）值：-

測試條件：-

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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