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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：HGTD1N120BNS9A

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：HGTD1N120BNS9A

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：5.3A

電流-集電極脈沖(Icm)：6A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，1A

功率-最大值：60W

開關(guān)能量：70μJ（開），90μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：14nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：15ns/67ns

測試條件：960V，1A，82 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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