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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：HGT1S2N120CN

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：HGT1S2N120CN

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：NPT

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：13A

電流-集電極脈沖(Icm)：20A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，2.6A

功率-最大值：104W

開關(guān)能量：96μJ（開），355μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：30nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：25ns/205ns

測試條件：960V，2.6A，51 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

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